Wyświetl model 3D
Infolinia serwisowa
+ 86 0755-83044319
● Obsługa dużej mocy: Vdss 30 V, Id 12 A do wymagających zastosowań.
● Niski RDS(on): Wydajne przełączanie z 7.5 mΩ przy Vgs 10 V.
● Kompaktowa konstrukcja: obudowa SOP-8 zapewniająca oszczędność miejsca.
OPIS
Tranzystor MOSFET z kanałem N w obudowie SOP-8 został zaprojektowany do wysokosprawnych zastosowań w układach przełączania zasilania. Dzięki napięciu Vdss wynoszącemu 30 V i ciągłemu prądowi drenu (Id) wynoszącemu 12 A, zapewnia wyjątkową wydajność w wymagających układach zarządzania zasilaniem. Urządzenie charakteryzuje się niską rezystancją RDS(ON) wynoszącą zaledwie 7.5 mΩ, co zapewnia minimalne straty przewodzenia, a próg bramkowy 2.5 V sprawia, że nadaje się do zastosowań w układach sterowania niskonapięciowego. Ten tranzystor MOSFET idealnie nadaje się do stosowania w kompaktowych i wydajnych systemach zasilania.
Funkcje
● WDS (V) = 30 V
● ID = 15 A (VGS = 10V)
● RDS(WŁ) ＜ 7.5 mΩ (VGS = 10V)
● RDS(WŁ) ＜ 11.0 mΩ (VGS = 4.5V)
Zastosowanie
● Przetwornice DC-DC
● Sterowanie silnikiem
● Systemy zarządzania energią
| Nazwa pliku | Tytuł | OPIS |
|---|---|---|
| Plik-SL4406-SOP-8.pdf | (Wyświetlony) SL4406 SOP-8 | - |
| Raport o zgodności z propozycją 65_1.pdf | Raport zgodności z propozycją 65_1 | - |
| Raport o zgodności z propozycją 65_2.pdf | Raport zgodności z propozycją 65_2 | - |
| REACH.pdf | REACH | - |
| RoHS-1.pdf | RoHS | - |
Wsparcie
Jeśli potrzebujesz wsparcia technicznego/projektowego, daj nam znać i wypełnij formularzFormularz odpowiedziSkontaktujemy się z Tobą najszybciej jak to możliwe.
Długowieczność
Program Długowieczności ma na celu regularne informowanie naszych klientów o przewidywanym czasie realizacji zamówień na nasze produkty. Program NLP jest regularnie weryfikowany i aktualizowany przez nasz Zespół Zarządzający. Zobacz naszeprogram długowiecznościtutaj.
● Dostępne urządzenie ekologiczne. ● Doskonała obudowa zapewniająca dobre odprowadzanie ciepła. ● Zaawansowana technologia rowków o dużej gęstości ogniw zapewniająca bardzo niski współczynnik RDS(ON)
● Niska impedancja termiczna miedzianej ramki wyprowadzeń SOP-8 oszczędza miejsce na płytce ● Szybka prędkość przełączania ● Wysokowydajna technologia rowków
● Bardzo niskie obciążenie bramki ● Doskonały spadek efektu CdV/dt ● Dostępne zielone urządzenie
● Technologia MOSFET LV Trench Power ● Wysoka moc i zdolność do przesyłu prądu
● 100% UiS + R, przetestowane ● Niezawodne i wytrzymałe ● Dostępne urządzenia bezołowiowe i ekologiczne (zgodne z RoHS)
● Ultra szybkie przełączanie ● 100% testów lawinowych ● Ulepszona funkcja dv/dt
● Wysoka wytrzymałość ● Ultra szybkie przełączanie ● 100% testów lawinowych
● 100% przetestowany lawinowo ● Szybkie przełączanie ● Ulepszona funkcjonalność dv/dt
