Wewnętrzna struktura diody szybkiego odzyskiwania różni się od zwykłej diody złącza PN, która należy do diody złącza PIN, tj. obszar bazowy I jest dodawany pośrodku materiału krzemowego typu P i materiału krzemowego typu N, aby utworzyć PIN wafelek silikonowy. Ponieważ obszar podstawy jest bardzo cienki, ładunek zwrotny jest bardzo mały, więc czas odzyskiwania wstecznego diody szybkiego odzyskiwania jest krótszy, spadek napięcia w kierunku przewodzenia jest niższy, a napięcie przebicia wstecznego (wartość napięcia wytrzymywanego) jest wyższe.