Węglik krzemu SiC to złożony materiał półprzewodnikowy składający się z krzemu Si i węgla C, zwykle w postaci kryształu 4H-SiC. Jego siła pola przebicia izolacji jest 10 razy większa niż w przypadku Si, przerwa energetyczna jest 3 razy większa w przypadku Si, przewodność cieplna jest 3 razy większa w przypadku Si, a prędkość dryfu nasycenia jest 2 razy większa w przypadku Si. Jest to bardzo lepszy materiał na urządzenia elektroniczne niż Si.