IGBT (tranzystor bipolarny z izolowaną bramką) składa się z MOS (tranzystor polowy z izolowaną bramką) i BJT (tranzystor bipolarny). Jest to półprzewodnikowe urządzenie mocy napędzane napięciem. IGBT może być pojedynczym, dyskretnym urządzeniem lub modułem, każdy rodzaj ma swój własny zakres zastosowań. W przemyśle stosuje się go do sterowania ruchem, konwersji mocy, silników przemysłowych, zasilaczy awaryjnych UPS, urządzeń do zasilania turbin wiatrowych i energii słonecznej, przetwornic częstotliwości itp. W elektronice użytkowej stosuje się go w sprzęcie gospodarstwa domowego, stosach ładowania, pojazdach elektrycznych , elektronarzędzia itp.